Facebook pregunto por SSD QLC NAND de 100 TB

[NiKo]

Facebook pregunto por SSD QLC NAND de 100 TB durante su discurso en la Cumbre de memoria Flash. Coincidentemente, una hora más tarde, Toshiba expuso sus ambiciosos planes para desarrollar los SSD 100 TB QLC.

 

 

Toshiba planea ser pionero en el uso de la tecnología QLC (Quad-Level cell) con una nueva variante de su capa 64 BiCS3 NAND, pero la compañía también empleará su tecnología TSV (Through-Silicon Via) para impulsar su matriz capacidad de apilamiento, que duplica la capacidad por paquete. QLC NAND tiene varias ventajas y desventajas, especialmente en el departamento de resistencia y el rendimiento, pero proporcionará más densidad que incluso los beefiest nuevos discos SSD.

 

 

Toshiba desarrolló la tecnología TSV para NAND para evitar el problema (similar a la técnica fábricas de uso para el SMA). TSVs conectan la matriz a través de conexiones eléctricas verticales en el centro de la matriz. Los canales se aparean con microbumps en una interposición subyacente que está en lo alto de un sustrato. Esta técnica elimina los efectos secundarios de rendimiento.

 

 

También hace supuestamente de apilado del troquel de menor riesgo y permite a los proveedores para los apilan en una columna vertical perfecta, a diferencia de la técnica de desplazamiento se utiliza con la unión por hilo. TSV reduce la impedancia, y Toshiba explicó que también aumenta el rendimiento secuencial de lectura / escritura de 1.7x / 3.1x, respectivamente, en los entornos de potencia restringida. Desafortunadamente, TSV tiende a ser una técnica de fabricación más cara que la unión de cables.

 

 

TSV reduce el núcleo de NAND y de E / S y consumo de energía un 45% durante las transferencias de datos de alta velocidad, lo que equivale a una mejora del 30/40% durante la actividad de lectura / escritura moderada (a nivel de dispositivo).

 

La reducción del consumo de energía tiene el efecto de arrastre de reducir la cantidad de calor del NAND genera, lo cual es bueno para los ambientes térmicos (como con los SSD M.2). Los Fab también emplean microbumps térmicas entre la matriz para mejorar la disipación de calor.

 

 

La compañía también anunció que su próxima generación de BiCS4 NAND (que viene en 2017) tendrá un 64 GB (512 Gbit) densidad. Combinando TSV con BiCS4 proporcionará hasta 1 TB en un solo paquete.